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Nor Flash發展過程中的問題

2018-04-12 15:12:37

過去一年,Nor Flash的價格飛漲和前景被大眾普遍看好,讓大家對編碼式存儲器重燃了信心,包括兆易創新和旺宏在內的眾多廠商在去年也從中掙到盤滿缽滿。在很多人看來,這種略顯古老的產片沒啥技術含量,但從Nor Flash的發展前景看來,還是面臨著各種各樣的困難和挑戰。
 
                              
 
根據Nor Flash的原理,它是使用CHE來編碼,然后使用FN Tunning 來擦除,而電荷注入機制對這兩個因素的印象很大,下面分別看一下其考量和解決辦法:
 
首先看CEH。據了解,CHE的注入對編碼速度和lg有明顯的提升,同時能夠擴大對離子化率的影響(高橫向電場),還能影響收集效率(高垂直電場)。但對CHE來說,如下圖所示,影響他們的因素也有很多。
 
因此,可以使用TCAD仿真來模擬CHE注入的影響,提高產品性能。


                                      
                                     

 
介乎Flaoting Gate和Bulk之間的FN Tunning同樣也會受到各種因素的影響。
 

                                       
 
這時候使用MLC方案則能完美解決相關問題。
 

                                           
 
對于Nor Flash來說,我們還需要考慮一下可靠性的問題。例如Over-Erase ,比如Nor Disturb,還有隧道氧化和可靠等問題。這就需要一些很好的解決方法。另外,在微縮的過程中,Nor Flash還會面臨Random Telegraph Signals Noise (RTN)等問題。
 
由上所述,Nor Flash從設計到生產,再到交付到客戶手中,要考慮其合格性、可靠性、保持性,同時還要經過保持特性失效分析。經過以上重重考驗的NorFlash才能滿用戶對使用溫度(55度),斷電數據保持時間>10年,擦寫次數>10萬次等多方面的需求。


本文關鍵詞:Nor Flash

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