Everspin MR4A08BMA35并行I/O非揮發MRAM芯片
2018-05-23 15:01:32
全球領先的離散和嵌入式磁阻隨機存取存儲器開發商和制造商Everspin科技公司(MRAM)成立于2008年，是飛思卡爾分離出去的獨立公司。公司股東由飛思卡爾和幾大風險投資公司構成。公司成立時飛思卡爾把MRAM技術、相關知識產權和產品都轉讓給EverSpin。公司總部與晶圓廠均位于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)市。2006年Everspin推出業界第一款商業化MRAM產品。目前Everspin MRAM已廣泛用在數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子等領域。
Everspin MR4A08BMA35是一款3.3V、并行I/O非揮發RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環。在每次寫入后，資料能持續保存超過20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款并行MRAM16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標應用為工業自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統受限于需采用SRAM設計的系統。
MR4A08BMA35提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其它非揮發RAM產品兼容。
?表圖為16Mb型號表
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關鍵詞：
并行MRAM
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多資訊關注SRAMSUN. m.vn4s8g.cn 0755-66658299
